扬杰科技获得实用新型专利授权：“一种平面栅碳化硅MOSFET器件”

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2025月04月05日

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种平面栅碳化硅MOSFET器件”，专利申请号为CN202421473385.9，授权日为2025年4月4日。

扬杰科技获得实用新型专利授权：“一种平面栅碳化硅MOSFET器件”
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专利摘要：一种平面栅碳化硅MOSFET器件，涉及半导体技术领域。在SiC VDMOSFET器件中，将原本的栅极通过金属分离开成为两个独立的栅极，并在底部的SiC表面通过注入形成P区，通过采用P区对栅氧化层进行保护，并且P区上表面通过与金属形成欧姆接触从而实现了接地处理，因此更进一步提高了其保护能力，从而提高了器件的栅氧层使用可靠性。此外，分离的栅极也降低了器件的栅漏电容，从而提高了器件的开关特性。

今年以来扬杰科技新获得专利授权27个，较去年同期增加了17.39%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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