扬杰科技获得实用新型专利授权:“一种平面栅碳化硅MOSFET器件”

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2025月04月05日
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示扬杰科技(300373)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种平面栅碳化硅MOSFET器件”,专利申请号为CN202421473385.9,授权日为2025年4月4日。
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专利摘要:一种平面栅碳化硅MOSFET器件,涉及半导体技术领域。在SiC VDMOSFET器件中,将原本的栅极通过金属分离开成为两个独立的栅极,并在底部的SiC表面通过注入形成P区,通过采用P区对栅氧化层进行保护,并且P区上表面通过与金属形成欧姆接触从而实现了接地处理,因此更进一步提高了其保护能力,从而提高了器件的栅氧层使用可靠性。此外,分离的栅极也降低了器件的栅漏电容,从而提高了器件的开关特性。
今年以来扬杰科技新获得专利授权27个,较去年同期增加了17.39%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了4.23亿元,同比增19%。
数据来源:天眼查APP
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