晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法、高压MOS器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法、高压MOS器件”，专利申请号为CN202511714324.6，授权日为2026年3月10日。

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专利摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、高压MOS器件，所述半导体结构包括：衬底；所述衬底中形成有源漏区和位于源漏区之间的沟道有源区；场氧化层，位于所述沟道有源区与所述源漏区之间，并定义出所述沟道有源区的边界；栅氧化层，覆盖所述沟道有源区和所述场氧化层；其中，所述栅氧化层表面在与沟道有源区的相邻边界交汇处对应的位置形成有凹陷；处于所述凹陷位置的栅氧化层厚度小于处于其他位置的栅氧化层厚度；栅极层，位于所述栅氧化层表面；其中，所述栅极层在与所述凹陷对应的位置形成有贯穿的开孔。如此，能够一定程度上减少因凹陷位置处的栅氧化层较薄导致的漏电和击穿，提升可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权106个，较去年同期增加了146.51%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1672条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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