帝奥微获得发明专利授权：“一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示帝奥微（688381）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件”，专利申请号为CN202210169338.4，授权日为2025年8月1日。

专利摘要：本发明公开了一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件，应用于半导体集成电路技术领域，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底内由下至上设有P型重掺杂埋层和N型重掺杂埋层，外延层位于P型半导体衬底的顶部；N型重掺杂埋层的引出深N阱位于所述外延层内；引出深N阱的表面设有引出漏极N+接触区；在引出深N阱和功率开关管漏极之间设有隔离浅槽；功率开关管漏极、功率开关管栅极、功率开关管源极和功率开关管背栅极均位于外延层。本发明仅通过增加一个工艺层次，形成了内置于芯片自身功率开关管下方的体内浪涌保护二极管，实现高效率、低成本的解决ESD和浪涌等过压电应力的集成化保护的创新方案。

今年以来帝奥微新获得专利授权28个，较去年同期减少了9.68%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了2.09亿元，同比增42.93%。

通过天眼查大数据分析，江苏帝奥微电子股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目4次；财产线索方面有商标信息18条，专利信息213条；此外企业还拥有行政许可3个。

数据来源：天眼查APP

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