晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202510560282.9，授权日为2025年8月1日。

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专利摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。本发明包括提供包括PMOS区和NMOS区的基底，形成凹槽位于PMOS区中栅极结构两侧的基底内，形成应力隔离层填满凹槽，形成张应力记忆层覆盖NMOS区的硬掩膜层和PMOS区的应力隔离层，对张应力记忆层进行退火处理；本发明通过将张应力记忆层和PMOS晶体管的源漏区相应凹槽的制备工艺顺序进行调整的方式，实现利用应力隔离层具有可阻断张应力记忆层的应力传递的作用，避免张应力记忆层在退火过程中对PMOS晶体管的影响，即保证了PMOS晶体管的器件性能，并同时提高了NMOS晶体管的电子迁移率，进而实现了简化CMOS器件的制程工序和降低制造成本（例如省去了移除PMOS区处的张应力记忆层的光罩）的目的。

今年以来晶合集成新获得专利授权229个，较去年同期增加了18.04%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目629次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1208条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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